1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
基于小分子的有机发光器件（OLED）在近几年间取得了令人瞩目的发展，提高器件的发光效率就成了现阶段研究的重要方向，但过度复合、载流子迁移率低和激子扩散不足是阻碍这些器件研发的几大缺陷。
所以研究OLED缺陷态的分布就显得格外重要。
关于深能级缺陷态对有机电致发光器件性能的影响机制的相关研究做了以下调研。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
先通过真空蒸镀技术制备所研究的样品，在ITO（阳极）和铝触点（阴极）之间蒸镀一层有机半导体。
使用的材料是碳酸铯。
在一些器件中，加入LiF缓冲层以增强电子注入。
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