1. 研究目的与意义
研究背景：
在这个飞速发展的时代，随着生活质量的提高，人们对通信技术的要求也愈发严格，体现在信息传输速率以及传输质量等多个方面。不仅是蓝牙、WIFI等一系列的无线传输技术的发展，宽带技术也包括其中，然而这些发展都离不开射频技术。
在射频系统中，射频功率放大器是其组成的最重要原件之一。射频功率放大器的主要功用是放大射频信号，并且高效率地输出更大功率。但因背景的不确定性，使其设计和生产成为射频系统性能提高的一个瓶颈。
2. 研究内容与预期目标
主要研究内容和预期目标:
本研究课题的预期目标是通过一种基于负反馈技术的新型HBT复合晶体管结构的功率放大器来有效消除HBT的 小信号和大信号Kink效应。本课题的主要研究内容是新型晶体管HBT在共发组态工作模式下的输出反射系数S22 在某一频率点出现的Kink效应给宽带输出匹配设计带来难题。从消除HBTKink效应的角度出发，通过改善HBT Kink效应从而得到扩展放大器的带宽，简化宽带输出匹配设计的作用，以及改善功率放大器的线性度和材料的热稳定性，提高器件的可靠性。
3. 研究方法与步骤
研究方法、步骤
设计了一种新型HBT复合晶体管结构的射频宽带功率放大器，此晶体管基于负反馈技术有效的消除Kink效应。通过设计两款不同的宽带功率放大器，一种是新型晶体管的宽带功率放大器，另一种是以简单管作为有源器件,设计的一款同样结构的宽带功率放大器作为参照。通过两者比较验证得出新型HBT复合晶体管结构具有明显的带宽优势，能提高增益带宽积，并且负载端易匹配。
4. 参考文献
[1] 王旭．基于IEEE802.16d的WiMAX基站系统实现技术研究[D]：[硕士学位论文]．南京：东南大学软件 学院，2007：3-6。
[2] 张书敬，杨瑞霞，武继斌等．X波段PHEMT功率单片放大器[J]．半导体学报，2006，27(10)：16-2。
[3] 陈延湖，申华军．王显泰等．基于InGaP/GaAsHBT的X波段MMIC功率放大器研制[J]．半导体学报，2007，28(5)：2-26。
5. 工作计划
1、3.5-3.15 查阅资料，完成开题报告，完成外文资料的翻译。
2、3.16-3.31 熟悉MicrowaveOffice环境，收集查询资料。
3、4.1-4.10确定设计思想，按要求设计电路。
以上是毕业论文开题报告，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
