1. 研究目的与意义
由于现在对晶体的应用越来越广泛，很多人开始着重于电热耦合的模拟的研究。而电热耦合的模拟就是在考虑电路自热效应的条件下 ,模拟的电路本身的功耗引起的工作温度升高以及在这温度下的电路性能。从70年代起，国际上就有了这方面的研究 ,主要的两种模拟方法分别为耦合法和解耦法。耦合法就是把热的问题反映到电学方程中 ,然后由模拟器同时求解热学、电学子系统;解耦法则是认为电学子系统与热学子系统相对独立 ,由热学模拟器和电学模拟器分别模拟这两个子系统 ,将计算结果迭代直至满足收敛条件。这两种方法各有优点，各有缺点。
在长期的热电联产系统中运行时能够体现出它的经济性，环保性以及节能性等等好处，而在短期的热电联产中运行时主要体现在系统的调峰特性，即在电网用电高峰期能够尽量的减少采用电能进行制热。所以相对而言热电耦合的工艺技术发展的意义在于减少投资成本和运行、维护费用，减少工业对环境的污染和一次能源的使用。
在众多金属的研究中，双极晶体管成为了现在研究和应用的方向。HBT是一种由砷化镓（GaAs）层和铝镓砷（AlGaAs）层构成的双极晶体管，它是一种由两种不同带隙宽度的半导体材质构成的异质结。如果按照异质结的数目划分的话，则有单异质结晶体管（SHBT）和双异质结晶体管（DHBT）.而相比结构相似的同质结晶管，由于它的最高振荡频率（fmax）、特征频率（fT）和厄利电压（Early）都相对的较高，所以它被广泛的应用于高速电路、功率电路和微波射频系统中。
2. 研究内容与预期目标
主要研究内容
1.分析研究HBT器件的特性；
2.进行建模设计方案对比和优化；
3. 研究方法与步骤
研究方法
随着集成度的提高，芯片的功率密度越来越大，从而产生的高温影响越来越明显，而工作温度生变化时，其电特性亦跟随变化，设计性能优异的放大器芯片需要精确的器件模型。计算出温度变化下的电特性，并且理解传统电热耦合的原理，再对HBT半导体的分析与了解，最后做出完整的模型。
研究步骤
4. 参考文献
[1] 孙晓红，戴文华，严唯敏等. LDMOSFET电热耦合解析模型[J].固体电子学研究与进展,2010.
[2] 傅士豪. LDMOSFET特性分析及其模型的建立[J].清华大学电子工程研究所学位论文，2009.
5. 工作计划
（1）2022.1.19-2022.3.10 查阅资料；
（2）2022.3.11-2022.3.18完成开题报告；
（3）2022.3.19-2022.3.26完成外文资料的翻译；
以上是毕业论文开题报告，课题毕业论文、任务书、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。
