1. 研究目的与意义
本课题的现状及发展趋势：
基于碳化硅的肖特基二极管（SBD）是非常受欢迎的，因为它具有快速的开关速度，较大大的击穿电压以及在高温下工作的可靠性。这些优越的品质使碳化硅肖特基二极管被广泛应用于高温，高频和低功耗等环境下。由于其较大的带隙，碳化硅肖特基二极管在高电流密度时具有较大的导通电压。就发展而言，在所有碳化硅器件中碳化硅肖特基二极管是最先进的功率器件。由于其低的传导损耗和几乎为零的恢复时间，它已被广泛用于电力电子系统中。
本课题的价值：
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2. 研究内容和问题
基本内容：
基于SilvacoTCAD软件完成碳化硅整流器件的结构设计和优化仿真，研究碳化硅整流器件的电学参数特性。
采用Silvaco软件设计仿真场板结终端设计4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的器件结构，通过改变场板长度、绝缘层厚度、衬底掺杂浓度、场板结构形状等参数研究器件的输入输出特性，比导通电阻、内部电场分布以及击穿电压的变化，以实现对碳化硅功率整流器电学性能的优化。
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3. 设计方案和技术路线
研究方法：
在掌握碳化硅整流器件结构特性的基础上，采用Silvaco TCAD软件在终端仿真场板结构。通过工艺参数的优化进一步改善碳化硅整流器件的电学特性，分析特性参数的影响。
技术路线：
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4. 研究的条件和基础
掌握固体物理或半导体物理基础知识，熟悉Silvaco TCAD软件，具备一定的中英文文献的查阅和阅读能力。
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